Las memorias FRAM (RAM Ferroeléctrica, no volátil) poseen internamente una estructura similar a una DRAM (RAM dinámicas), pero el almacenamiento de la información se realiza mediante el aprovechamiento de un efecto ferroeléctrico, siendo su principal ventaja respecto a otros tipos de memorias no volátiles que tanto una lectura como una escritura demoran aproximadamente el mismo tiempo, obteniéndose chips con tiempos de acceso del orden de los 70ns.
Reemplace las EEPROM en sus diseños con estas memorias y logrará un gran ahorro de energía y fundamentalmente bajísimos tiempos de escritura: para borrar un byte en un chip EEPROM se requiere de alrededor de 10ms, mientras que una FRAM se borra en 75us.