Teoría del transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)

Este breve artículo nos ayudará a comprender el funcionamiento de los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT).

Estos dispositivos relativamente nuevos están diseñados para aplicaciones de potencia, son muy similares en su estructura física a los MOSFETs de potencia, pero se asemejan más a los transistores bipolares en su operación eléctrica. Pueden manejar corrientes y tensiones mucho más elevadas que cualquiera tipo de transistor convencional. Es por ello que son muy utilizados en amplificadores de audio de alta potencia, controles de velocidad de grandes motores y otras aplicaciones similares.

Temario:

1. Introducción.
2. Tecnologías de fabricación y curva característica I-V.
3. Funcionamiento del transistor IGBT.
4. Estado de bloqueo.
5. Estado de conducción.
6. Efecto de cebado del tiristor parásito interno (Latch-Up).
7. Efecto del Latch-Up.
8. Métodos para Evitar el Efecto del Latch-Up.
9. Características de conmutación.
10. Encendido.
11. Apagado.
12. Área de operación segura.
13. Características y valores límite del IGBT.

Descargar el artículo desde aquí.